简介：评估了使用深反应离子刻蚀工艺来进行晶圆的切割,用于替代传统的刀片机械切割方式。结果表明,使用深反应离子刻蚀工艺,晶圆划片道内的硅通过等离子化学反应生成气态副产物被去除,从而避免了芯片侧面的机械损伤。切割后整个晶圆没有出现颗粒沾污,芯片边缘没有崩角以及开裂等损伤。该工艺还可以适用于更窄的划片道切割要求。
简介：(2004年8月16日，香港）由香港线路板协会及美国电子电路和电子互连行业协会(美国IPC协会）合办之2004国际线路板及电子组装展览会将于2004年12月8-10日假中国东莞厚街——广东现代国际展览中心举行。
硅的深度反应离子刻蚀切割可行性研究
2004国际线路板及电子组装展览会报展反应热烈致力成为华南最有代表性专业展览会
