简介：近日,澳大利亚通过硅元素制造量子处理器的计划已经启动.预计今年7月,悉尼新南威尔士大学（UNSW）量子计算和通信技术中心将会收到首批3300万美元的投资.据悉,这些资金来源于政府和产业界,其目标是创造现实可用的量子计算机.

简介：按照和记黄埔有限公司(HutchisonWhampoaLimited)公布的最新报告，其子公司和记电讯(澳大利亚)有限公司(HutchisonTelecommunicationsAustraliaLtd．)的第三代移动业务在一月份到三月份表现出了强劲的增长势头，新增了90，000名用户。

简介：据悉，澳大利亚主要纸业公司Visy工业公司准备加入跨国公司抢占中国市场的行列，为扩大业务，计划对华大举投资。

简介：爱立信获选成为澳大利亚运营商Telstra未来五年的3G／WCDMA独家供应商。预计这一框架协议总价值超过7800万美元(约一亿澳元)，爱立信将提供包括HSDPA在内的分层结构核心网和无线接入网络的设备和网络实施服务。

简介：澳大利亚电信公司日前表示将加速推动全球5G网络标准的建立和澳大利亚网络系统的升级,并计划于2018年澳大利亚举行的英联邦运动会期间试用.

简介：沃达丰空中通讯公司(VodafonePLC．VOD)的澳大利亚公司上周五公布了更具体的有关其第三代服务的推出时间，该公司表示，其3G网络将从10月份开始在悉尼和墨尔本运营。这表示布里斯班、佩思和阿德雷德必须等到2006年第一季度才能使用沃达丰的3G服务。

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简介：新西兰政府的电子政务的兴起源于对公民与政府问沟通和交往方式的变革.长期以来,新西兰公民与政府沟通主要依靠电话或面对面的交流.随着网络时代和网络经济的来临,政府的组织形态也逐步由金字塔式的垂直结构向错综复杂的、水平的网络结构转变,减少管理层次,以各种形式通过网络与公民的一种新型的伙伴关系.

简介：Vodafone已经在新西兰推出了3G业务，与新西兰的传统运营商TelecomNewZealand竞争。TelecomNewZealand最先进入新西兰电信市场，此前是唯一经营3G业务的运营商。

简介：诺基亚在Vodafone新西兰推出的3G业务中扮演了关键性的角色，为其提供了后台的网络基础设施，帮助Vodafone向客户推出新的业务。

简介：在上周四的一次会议之后，奥克兰市政(AucklandCityCouncil)同意英国沃达丰空中通讯公司(VodafoneGroupPLC，VOD．LN)在奥克兰的19座路边基站中安装3G设备，从而为该公司在新西兰推出第三代移动网络的计划铺平了道路。

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简介：作者勃勃赵赵名人访谈努力促进中国电子封装事业繁荣发展快速反应、真诚务实是华天发展的法宝期(页)五(1)六(1)专家论坛电子封装技术的新进展新型微电子封装技术知识经济下的管理变革与创新NewICPaekage,assemblytechniquebymeansofa“blind”Alignment“fliP一ehiP”methodandassemblingfaeilities张蜀平高尚通文」逸明郑宏宇杨克武钱枫林VladimirV.Novikov一(3)一(10)三(1)四(1)Top企业报道瑞萨;加强中国市场的整体统一管理战略瑞萨的Slp(Solution

简介：摘要本文的研究对象是埃塞俄比亚法拉沙人。本文的第一部分从法拉沙人的起源和分布入手，说明法拉沙人被称为埃塞俄比亚犹太人的原因，并引出埃塞的宗教文化背景，即无论是埃塞正教抑或是法拉沙人的宗教，都承袭了蕴含在埃塞本土文化当中的犹太元素。第二部分主要记述法拉沙人族群在埃塞如何产生和作为该族群身份认同核心的宗教得到了怎么样的发展。第三部分主要记述法拉沙人回归以色列的几次行动以及回归以色列后法拉沙人面临的新的社会问题。

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简介：介绍了一种应用于脉冲中子时间谱测量的新型亚纳秒有机闪烁纤维中子探测器,叙述了这种中子灵敏型探测器的探测原理,详细阐述了探测器的结构设计及具体的制作工艺,并给出了达到的技术指标.同时报道了为制作探测器而研制的一种新型亚纳秒有机闪烁纤维,介绍了闪烁纤维的选材、制作及其时间响应特性.

简介：在亚微米工艺中,多晶栅TiSi工艺是降低接触电阻的常用方法。但是TiSi的生长与衬底的掺杂浓度相关,对多晶栅的掺杂剂量有很高的要求。由于光刻工艺中存在的套刻偏差,使得后续源漏注入剂量会在多晶栅上有所偏差,影响了后续TiSi在多晶栅上的生长。文章采用多晶栅上生长一层LPCVDSiN作为掩蔽层的方法,避免了由于光刻套刻偏差引入的注入剂量偏差,改善了后续多晶栅上TiSi的生长。通过对As注入和P注入在不同SiN厚度掩蔽层下穿透率的研究发现40nm左右基本可以阻挡95%的N＋S/DAs注入剂量而保留80%的多晶栅P注入剂量。该种掩蔽层方法有很多优点：源漏注入的条件不用更改;多晶栅注入的可调节剂量范围大大增加,可以更好地保持重掺杂多晶栅特性。

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简介：文章首先分析了静态随机存储器（SRAM）6T存储单元结构的基本工作原理，总结了6T存储单元的优缺点并介绍了存储单元的重要参数静态噪声容限（SNM）。在此基础上给出了一种基于实际深亚微米CMOS工艺的存储单元的设计方法，该方法的优势在于首先考虑单个读、写操作的限制，然后将多个限制因素综合在一起考虑，并通过三维曲线图形为仿真提供指导，以提高设计效率，缩短设计周期。最后给出了存储单元的晶体管参数并采用Hspice进行验证，仿真结果表明，采用这种方法设计出来的单元是稳定可靠的。

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