简介：Theoperationprincipleofanarrayedwaveguidegrating(AWG)multiplexerisintroducedandthe4×4AWGwithfollowingdesignparametersisdiscussedindetail,suchasthechoiceofwavelength,theneighboringarrayedwaveguidedistanceΔL,thechannelfrequencyintervalΔf,andthefreespectralrange.Thestructureof4×4AWGisdesignedandtheresultofstimulatedtestisalsogiven.Analysisshowsthatthe4×4AWGischaracterizedbyawidedynamicrange,lowcrosstalk,betterspectrumproperties,andacompactstructure.

简介：2003年底，全球半导体市场终于在人们的期待中开始进入新一轮的高成长期。从未来的发展来看，中国半导体市场将依然是全球最具发展潜力的市场之一，而中国的半导体产业也将在不断深入的内部改革和日益扩大的对外开放中得到更大的发展。

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简介：·ITU—TSG2业务提供、网络和性能的运行

简介：WDMMulticast的关键问题是如何在WDM层建立组播树.本文深刻分析WDM网络上实现组播所面临的难题,并指出其与传统的IP组播的区别.在此基础上提出了两种可行的WDMMulticast方案.一种是对现有组播协议不加修改,但是需要增加一个中间层来实现WDM层组播树的构建;另外一种修改现有组播路由协议,使其充分考虑到WDM层的光分路能力,并设计新的波长路由分配算法来建WDM层组播树.本文对这两种方案详细分析并以目前广泛使用的DVMRP协议[1]为例来说明它们各自的特点.

简介：UsingdoublecrystalX-raysdiffraction(DCXRD)andatomicforcemicroscopy(AFM),theresultsofGexSi1-xgrownUHV/CVDfromSi2H6andSiH4areanalyzedandcompared.Adsorbatescanmigratetotheenergy-favoringpositionduetotheslowgrowthratefromSiH4.Inthiscase,aSibufferthatisolatestheeffectofsubstrateonepilayercouldnotbegrown,whichresultsinapitpenetratingintoepilayerandbuffer.TheFWHMis0.055°inDCXRDfromSiH4.Thepresenceofdiffractionfringesisanindicationofanexcellentcrystallinequality,TheroughnessofthesurfaceisimprovedifgrownbySi2H6:however,thecrystalqualityoftheGex2Si1-xmaterialbecameworsethanthatfromSiH4duetomuchlargergrowthratefromSi2H6.ThecontentofGeisobtainedfromDCXRD,whichindicatesthegrowthratefromSi2H6islargest,thenGeH4andthatfromSiH4isleast.

简介：可重排的非阻塞的silicon-on-insulator-basedthermo眼有点尺寸变换器(SSC)和一个新开车电路的4脳4开关矩阵被设计并且制作。一个点尺寸变换器(SSC)的介绍减少了到不到10dB和新开车电路的插入损失改进了反应速度到不到1渭s。国家关键Basic部分地支持的CLC数字TN305中国在下面的研究专辑基础资助没有。G2000-03-66，和国家高技术不到资助号码60336010在资助号码2002AA312060，和中国的国家自然科学基础下面中国编程序。

简介：<正>氧化物半导体的应用领域不仅局限于显示器驱动晶体管,现在还提出了在玻璃基板和柔性基板上集成使用氧化物半导体的透明运算电路等独特应用。不过,氧化物半导体存在难以实现CMOS电路的缺点,因为很难形成p型晶体管,以前推出的In-Ga-Zn-O晶体管全是n型。

简介：ITU无线电通信全会，考虑到：a）无线电通信全会的任务和职能规定于组织法第13条和ITU公约第8条；

简介：<正>据调查公司的报导,2004年半导体市场以23%～28%的增长率增长。其特点是由DRAM和Flash存储器牵动市场。从地域上来说,亚洲市场增长显著。WSTSCY对未来市场的预测表明,2005年谷底状况将在2006年有所好转,虽然2005年和2006年市场前景都不容乐观,但也不会出现2001年半导体产业那种大幅负增长的情况。

简介：摘要科技在飞速发展，移动移动通信技术也迅猛地发展到了第四代。每一代更替都是崭新的突破，在现代生活的快节奏要求下，人们对于网络技术各方面的要求更高了，而4G通信技术便应运而生，在技术方面，它的频谱更高；在通讯方式上，它更加多样化；它使移动通信智能化更加稳定，更加完善。有更高的科技含量，为客户提供的信息在完全方面也更有保障，在速度方面也更加快捷，本文就4G与4G+通信工程技术进行了分析与研究。

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简介：<正>瑞萨电子宣布开发出了导通电阻仅为150mΩ(栅源间电压为10V时的标称值)的600V耐压超结(SJ:SuperJunction)型功率MOSFET"RJL60S5系列",将从2012年9月开始样品供货。超结是可在不牺牲耐压的情况下,降低导通电阻的功率MOSFET的元件构造。虽然其他竞争公司已经推出了采用这种构造的功率MOSFET,但据瑞萨电子介绍,"RJL60S5系列"在600V耐压产品中实现了业界最小水平的导通电阻。马达驱动电路和逆变器等采用RJL60S5系列功率

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简介：王博士“电子组装工艺缺陷的分析诊断与解决”一、前言：目前中国已经成为全球电子制造业的中心，随着电子产品的高密化、环保化、低利润化、高质量要求，电子制造企业的生存越来越艰难，只有在保证产品功能的情况下提高产品质量、降低产品成本，才能在竞争激烈的市场中争得一席之地。

简介：在“宽带无线移动新技术标准研讨会”上，信息产业部电信研究院标准所无线室主任万屹向与会者介绍了国际上在IMT-Advanced领域取得的最新进展。ITU推动3G未来发展及超3G课题迄今已经有8年多。1999年6月ITU-RTG8／1#17开始酝酿此课题；1999年11月TG8／1#18通过并提交到ITU-RSG8通过；2000年ITU-RRA2000批准确定Q．2298研究课题，并确定课题分为两部分，

简介：Anovellow-cost4-elementplanararrayantennadirectlyfedbyacoaxialcableforUltra-WideBand(UWB)applicationispresented.Theproposedantennaconsistsof2×2bowtieelementsandasimple1:4powerdividerfeedingnetwork.Comparedtothebasicbowtieelement,theimpedancebandwidthofthearrayantennahasasignificantimprovementthatthelowcut-offfrequencyisextendedfrom6GHzofthebowtieelementto2GHz.Themeasuredresultsshowthattheproposedantennahasalargebandwidthof2GHzto11GHzforVoltageStandingWaveRatio(VSWR)<2,andexhibitsabidirectionalradiationpatternandamodestgainacrosstheoperatingbandandapeakgainofabout9dBiat11GHz.

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