简介：

简介：<正>成都国腾微电子公司日前宣布,他们已面向倒车雷达应用推出采用ASIC设计的GM3101专用芯片。该芯片据称能有效降低倒车雷达产品开发的技术门槛,显著提高产品的灵敏度、可靠性和稳定性,可完全替代传统单片机方案,而其成本仅相当于单片机方案的60%。GM3101具备四路超声波探头驱动接口,探头发送驱动信号的强度为5V@2mA。此外,它内部还整合有多级运放、多路开关、比较器电路及大量的分离元件,而且外部电路十分简单。该芯片的其它特性还包括:

简介：数字阵列雷达是一种灵活的阵列雷达，可以通过数字技术完成所需的若干功能，尤其是抗噪声干扰等。文章研究了数字阵列雷达在波形选择、接收超低副瓣形成及自适应零点形成技术等方面的实现，以及仿真和性能测试结果。

简介：伴随着CMOS工艺技术的发展,CMOS电路已经成为VLSI制造中的主流,而CMOS器件特征尺寸的快速缩小和CMOS电路的广泛应用,使得CMOS电路中的latch-up效应引起的可靠性问题也越来越受到大家的重视。阐述了CMOS工艺中闩锁的概念、原理及其给电路的可靠性带来的严重后果,深入分析了产生闩锁效应的条件、触发方式,并针对所分析的闩锁原因从版图设计、工艺改良、电路应用三个方面提出了一些防闩锁的优化措施,以满足和提高CMOS电路的可靠性要求。

简介：存储单元的加固是SRAM加固设计中的一个重要环节。经典DICE单元可以在静态情况下有效地抗单粒子翻转，但是动态情况下抗单粒子翻转能力较差。提出了分离位线的DICE结构，使存储单元在读写状态下具有一定的抗单粒子效应能力。同时，对外围电路中的锁存器采用双模冗余的方法，解决锁存器发生SEU的问题。该设计对SRAM进行了多方位的加固，具有很强的抗单粒子翻转能力。

简介：针对密码芯片在抵抗功耗攻击时存在着效率与安全两个方面的矛盾,文中通过利用奇系数梳状算法对标量进行编码,同时结合预计算方法把椭圆曲线密码标量乘法运算转化为一组小标量乘法运算,并利用基点掩码技术实施抗功耗攻击。性能分析结果表明：与传统的抗功耗攻击方案相比,给出的抗功耗攻击方案不仅可以抵抗多种功耗攻击,并且能够在存储空间和主循环运算量基本保持不变的情况下具有更高效的运算效率,在各种资源受限的应用系统中具有较好的实际应用价值。

简介：随着移动通信服务的不断普及和市场竞争的日益深化，全球范围内的移动通信运营商普遍面临着ARPU值持续下降的局面。为了在市场竞争中保持竞争力，移动运营商纷纷把改善ARPU值的希望寄托于移动数据业务。但是，不管是2G时代的GPRS系统还是3G初期的WCDMA系统，其数据带宽都不足以满足用户对多媒体数据业务的要求。可以说，空中接口带宽的不足成了限制多媒体移动数据业务发展的瓶颈。而这也正是大量移动运营商对以WCDMA为代表的早期3G系统兴趣不足的原因。

简介：通过对高压SOINMOS器件进行总剂量辐照试验发现,辐照后器件埋氧化层中引入了大量的氧化层陷阱电荷,使得器件背栅发生反型,在较高漏极工作电压下,漏极耗尽区与反型界面相连,使得源漏发生穿通,导致器件漏电。通过原理分析提出了增加顶层硅膜厚度的优化措施,证明在顶层硅膜较薄的情况下,SOINMOS器件容易发生总剂量辐照后背栅漏电,厚顶层硅器件特性受背栅辐照效应的影响则显著降低直至消失。

简介：随着光器件在空间环境和辐射环境中的广泛应用，在国际上对光器件抗辐射性能的研究越来越多。为了提高光器件的抗辐射性能，满足空间应用的各种需要，文章介绍了空间辐射环境，空间辐射对光器件的影响和辐射损伤机理，主要是光纤、激光器、光探测器、光纤陀螺的辐射效应和损伤机理。同时，概述了航天用光器件的抗辐射加固技术及其最新进展。通过采用抗辐射加固技术，大大提高了空间应用的超辐射发光二极管（SLD）、超荧光光纤（SFS）光源、1310nm波长的InGaAsP／InP半导体激光器、电荷耦合器件（CCD）、互补性金属氧化物半导体（CMOS）器件的抗辐射性能和可靠性。

简介：文章实现了一种应用于串行通信中的抗噪声接收电路的设计。UART被广泛应用于在远端设备之间进行串行通信，传统接收电路在位周期的中央对信号进行采样，但是由于各种随机噪声的干扰，会引起数据采样错误，造成通信出错。文章提出的设计方法是利用一个累加器在一个特定窗口周期内对串行数据进行采样并累加，再根据累加和判断出窗口期内正确数据位，从而滤去串行线路上的噪声得到纯净的串行数据，这大大增强了串行通信的可靠性。文章利用Quartus软件对设计进行编译、综合、仿真。仿真结果表明该电路能有效滤去串行线路上噪声，极大增强了接收电路的抗噪声性能。

简介：提出了一个基于商用65nm工艺在晶体管级设计抗辐射数字标准单元库的方法。因为当C单元的两个输入是不同的逻辑值时输出会进入高阻模式，并保持输出逻辑电平不变，而当输入端有相同的逻辑值时，C单元的功能就像一个反相器的特性。因此它有把因为辐射粒子引起的单粒子翻转（SEU）效应或单粒子传输（SET）效应所产生的毛刺滤除掉的能力。在这个标准单元库中包含了在晶体管级使用C单元设计了抗辐射的触发器，以便于芯片设计者可以使用这个库来设计具有更高抗辐射能力和减小面积、功耗和延迟的芯片。在最后为了能表征标准单元在硅片上的延迟特性，一个基于环形振荡器的芯片结构用来测量每个单元的延迟，以及验证抗辐射能力。延迟测量结果跟版图后仿真结果偏差在10％以内。