简介：通过对高压SOINMOS器件进行总剂量辐照试验发现,辐照后器件埋氧化层中引入了大量的氧化层陷阱电荷,使得器件背栅发生反型,在较高漏极工作电压下,漏极耗尽区与反型界面相连,使得源漏发生穿通,导致器件漏电。通过原理分析提出了增加顶层硅膜厚度的优化措施,证明在顶层硅膜较薄的情况下,SOINMOS器件容易发生总剂量辐照后背栅漏电,厚顶层硅器件特性受背栅辐照效应的影响则显著降低直至消失。
简介：摘要目前航空空心叶片热成形的工艺参数选择不够合理，使得叶片成形质量欠佳。由于板料较厚且属于加热成形范畴，使得板料的起皱缺陷和拉裂缺陷不容易发生或不明显，而叶片成形后的厚度不均匀和回弹缺陷突出。因此为了深入了解成形工艺参数对叶片成形质量的影响规律，本章以成形时主要工艺参数板料加热温度、摩擦系数、压边力和保压时间作为因子变量，以叶片成形后的最小厚度值量和最大回弹量（Z向）为目标变量，通过控制变量法来研究空心叶片背弧成形时的最佳工艺参数区间，为后续的需要最佳的工艺参数组合提供基础。
抗辐射高压SOI NMOS器件的背栅效应研究
工艺参数对航空空心叶片背弧热冲压成形质量的影响
