简介：发光二极管(LED)具有非常广泛的用途,光子晶体(PC)是一种新概念和新材料,采用PC的LED则大大提高了光输出效率,是一种很有发展前途的LED器件,已成为目前国内外研究的热点.本文介绍了PCLED的基本原理、结构、重要特性参数及其典型器件.

简介：介绍了"黑斑"和"气泡"造成的有机发光二极管失效的过程,对影响器件稳定性问题的诸多因素进行了分析.

简介：信息对人类的发展有非常重要的作用,21世纪是信息时代.随着信息技术的发展,对显示技术和显示器件提出了越来越高的要求.平板显示技术是本世纪最有发展前途的显示技术之一,平板显示具有十分突出的优点,在于它全固态、无真空、驱动电压低、视角广、耐恶劣环境等,薄膜电致发光器件具有平板显示技术的特点.本文针对无机薄膜电致发光的原理、目前获得蓝光所遇到的问题及可能的解决方案进行了深入探讨.

简介：<正>稀土离子和半导体纳米晶(或量子点)本身都是很好的发光材料,二者的有效结合能否生出新型高效发光或激光器件一直是国内外学者关注的科学问题。与绝缘体纳米晶相比,半导体纳米晶的激子玻尔半径要大得多,因此量子限域效应对掺杂半导体纳米晶发光性能的影响变得很显著,从而有可能通过尺寸调

简介：实验中制备了不同厚度的缓冲层PBD修饰的有机电致发光器件以及没有缓冲层修饰的有机器件.通过比较发现缓冲层PBD的最优厚度为0.2nm,缓冲层PBD对于器件亮度有显著的影响.当缓冲层PBD厚度为0.2nm,相同电压下器件的亮度要比无缓冲层器件的亮度要高.当电压为16V时,PBD修饰的器件的亮度为1984cd/A,而没有缓冲层材料修饰的器件的亮度为1110cd/A,器件的亮度得到了提高.在电流密度为120mA/cm2的情况下,PBD修饰的器件的效率为3cd/A,要比没有缓冲层材料修饰的器件的效率(为2.6cd/A)高.最主要的原因是由于PBD是电子传输层,因此它对于空穴的注入起阻挡作用.所以缓冲层PBD阻挡和减少了空穴的注入,提高了电子和空穴形成激子的比例,从而提高了器件的效率.

简介：有机电致发光器件（OLEDs）的研究不断地深入，其亮度、效率、寿命等发光特性也得到了较丸也提高。近些年，Forrest等人提出有机多层量子阱结构（OMQWs）的概念，随后又将其应用到OLEDs中，从而增强了具有这种结构的器件的发光特性。本文从这种结构的分类、结构表征、吸收特性、光致发光及电致发光等特性和应用方面进行讨论，进而总结了有机电致发光主要应用和研究进展，并提出存在的问题及展望。

简介：<正>东京都市大学(原武藏工业大学)综合研究所开发出了可在室温(300K)且电流注入的条件下发光的Si类半导体元件。发光时的Q值高达1560。为室温下Si类半导体的全球最高值,完全可作为LED使用。在以Si类半导体实现光传输的"Si光子"技术领域,包括光敏元件和导光路

简介：一个透明的3-巯基丙基三甲氧基硅烷（MPTMS）/银/氧化钼复合阳极制备绿色有机发光二极管（OLED）。研究了亮度复合阳极和有机电致发光器件的工作电压的影响。通过优化各层的MPTMS/银/氧化钼结构的厚度，对MPTMS/银的透光率（8nm）/MoO3（30nm）达到75%以上在520nm左右。的薄层电阻为3.78？/□，与此相应的MPTMS／Ag（8nm）/MoO3（30nm）的结构。为优化阳极的有机电致发光器件的电致发光（EL），最大电流效率达到4.5cd/A，最大亮度是37和036cd/m2。此外，通过优化阳极的有机电致发光器件具有非常低的工作电压（2.6V）获得100cd/m2的亮度。我们认为，改进的设备性能主要是由于增强的空穴注入造成的减少孔注入势垒高度。我们的研究结果表明，使用MPTMS-SAMs/银/氧化钼作为复合阳极可以在低工作电压和高亮度OLED的制作一个简单的和有前途的技术。

简介：srzn2（PO4）2：在大气中的高温固相反应合成Sm3＋荧光粉。srzn2（PO4）2：Sm3＋荧光粉是通过紫外光有效激发（UV）和蓝色光，和发射峰被分配到2-6h54G5//2过渡（563nm），2-6h74G5//2（597nm和605nm）和2-6h94G5//2（644nm和653nm）。对srzn2发射强度（PO4）2：Sm3＋的Sm3＋浓度的影响，其浓度猝灭效应srzn2（PO4）2：钐也观察到。当掺杂离子（=Li，Na和K）离子的发光强度，srzn2（PO4）2：Sm3＋可以明显增强。在国际照明委员会（CIE）的srzn2色坐标（PO4）2：Sm3＋定位在橙红色的区域。结果表明，该荧光粉具有潜在的应用在白光发光二极管（LED）。

简介：文章对清管器的结构、性能、应用特点进行了全面分析,并对它在输水管、输油管及工业管线清洗中的应用情况做了具体介绍

简介：

简介：首先,分析了智能技术快速发展对战争面貌的深刻影响、智能化无人作战系统对传统作战样式的变革以及复杂多元涉空作战行动对空战场的重构作用;其次,从空域态势感知、战场空域规划、决策控制和安全风险等方面研究了智能化战争形态下战场空域管控面临的严峻挑战;最后,从战场空域管控模式重构、智能化战场空域规划、实时自主协同与智能决策以及“制智权”夺取等方面阐述了智能化战争战场空域管控工作,为我军开展智能化战争形态下战场空域管控指明了发展方向。

简介：薄膜晶体管是液晶显示器的关键器件，对显示器件的工作性能具有十分重要的作用。本文论述了薄膜晶体管的发展历史，描述了薄膜晶体管的工作原理，分析了非晶硅薄膜晶体管、多晶硅薄膜晶体管、有机薄膜晶体管、ZnO活性层薄膜晶体管的性能结构特点与最新进展，并展望了薄膜晶体管的应用。

简介：太赫兹回旋管一种具有重要发展前景的高功率太赫兹源。简要介绍了回旋管的结构和基本原理，并且评述了国内外太赫兹回旋管的发展状况和趋势；同时指出了太赫兹回旋管发展中存在的关键问题及一些建议。

简介：通过微波调谐器、匹配线和器件特性的了解可以帮助设计人员更好地了解RF和微波晶体管。

简介：太赫兹频谱有很多优越特性,在生物医疗、安全检查及军事领域中具有重要的应用前景。太赫兹源是太赫兹波领域研究中的关键技术,制约着太赫兹技术的发展。从介绍太赫兹源的研究与发展动态出发,阐述了雪崩渡越时间二极管(IMPATT)器件的工作机理、等效分析模型及注锁牵引稳频振荡理论,给出了几种基于IMPATT管获取电子学固态太赫兹源的方法。

简介：

简介：摘要煤是中国的主要能源。国有煤矿是中国煤炭生产的主体。由于国家宏观政策和煤炭企业的特殊性，煤炭企业的生产成本不断提高。加强成本管理、降低成本是企业提高经济效益、增强市场竞争力的重要手段。目前，煤矿企业主要控制生产成本控制，而忽视了煤矿劳动力成本的控制。通过人力资源管理降低劳动力成本是国有煤矿降低企业成本、提高经济效益的重要途径。

简介：<正>横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商意法半导体(STMicroelectronics,简称ST;推出打破高压功率MOSFET晶体管世界记录的MDmeshV功率MOSFET晶体管。MDmeshV系列已是市场上性能最高的功率MOSFET晶体管,拥有最低的单位面积通态电阻,在650V额定电压应用中可实现

简介：学者冯军认为，片面的行政立法对网络发展可能产生阻碍作用，全国人大应尽快把制定一部系统的网络法纳入议事日程