简介:介绍了光子晶体的能带结构、制备技术和应用方面的最新的发展,光子晶体的光子能隙有完全能隙和不完全能隙的区分.光子晶体的制备技术大体可分为微电子制备技术、自组装技术和层层叠加技术.同时,通过光子晶体一些应用方面的介绍,揭示了光子晶体的广阔的应用前景.
简介:文章主要是研究采用磁控溅射和电子束热蒸发两种制备方法来制备ZnO—TFT器件,并通过XRD和透射光谱来对样品的性质进行分析比较,得出采用溅射法制备的ZnO-TFT器件有源层的ZnO薄膜从结晶化程度、表面粗糙度及透过率都较采用电子束蒸发制得的ZnO薄膜优异,其有较好的c-axis(002)方向择优取向,器件的平均透过率在85%以上。并研究了退后处理对器件性能的影响,并发现快速热退火有利于薄膜的晶化,降低缺陷态密度。
简介:研究了按照Fibonacci序列排序的一维准周期结构的光子晶体滤波特性,由于这种结构的可调参数多,人们很容易得到在红外波段1550nm附近窄带滤波窗口,透过率可达到近99%以上,而窗口以外的透过率在0.01%以下,当调节周期数、分层厚度、两种介质的折射率及相对折射率这些参数,就会出现多波长滤波器,并设计了一种通道间隔为0.8nm的多通道波分复用滤波器,在光通信中将得到很好的应用.
简介:提出了一种利用计算机产生和再现具有缺陷结构和复式结构的二维光子晶体的菲涅尔全息图的数字方法。采用博奇编码方法,应用C语言和Matlab语言的混合编程下实现全息图的制作,并直接应用数字滤波技术消除了虚象和零级象,模拟再现出实象。
简介:
简介:薄膜晶体管是液晶显示器的关键器件,对显示器件的工作性能具有十分重要的作用。本文论述了薄膜晶体管的发展历史,描述了薄膜晶体管的工作原理,分析了非晶硅薄膜晶体管、多晶硅薄膜晶体管、有机薄膜晶体管、ZnO活性层薄膜晶体管的性能结构特点与最新进展,并展望了薄膜晶体管的应用。
简介:光子晶体(PC)具有周期性折射率变化,并具有实现新型光器件的极大潜力,正受到广泛关注。本文介绍了PC基本原理与特性,并介绍了表面发射(SE)光子晶体分布反馈(DFB)半导体激光器的结构、最佳化设计、制作工艺和输出特性。
简介:介绍电控晶体偏振控制器(PC)的内部结构,理论分析了电控晶体PC对偏振态的控制作用,设计并进行了实验,并将理论结果与实验所得的轨迹进行对比和分析,得出了电控晶体PC的波片上所加电压与其对光波偏振态的控制的一些关系。
简介:发光二极管(LED)具有非常广泛的用途,光子晶体(PC)是一种新概念和新材料,采用PC的LED则大大提高了光输出效率,是一种很有发展前途的LED器件,已成为目前国内外研究的热点.本文介绍了PCLED的基本原理、结构、重要特性参数及其典型器件.
简介:通过微波调谐器、匹配线和器件特性的了解可以帮助设计人员更好地了解RF和微波晶体管。
简介:简介光子晶体及其光纤通信用光子晶体器件(它们分别是光子晶体光纤、光子晶体光波导、光子晶体激光器、光子晶体滤波器和光子晶体波长复用/解复用器)的基本工作原理和制作技术以及目前的研制状况.
简介:本文概述了光子晶体光纤的三个突出的优点:单模传输特性、高非缌№故应和可控群速度色散特性。在此基础上,讨论了光子晶体光纤在多波长光纤激光器,光参量放大器和超连续谱产生中的应用,同时介绍了在各应用领域中的优势。
简介:<正>横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商意法半导体(STMicroelectronics,简称ST;推出打破高压功率MOSFET晶体管世界记录的MDmeshV功率MOSFET晶体管。MDmeshV系列已是市场上性能最高的功率MOSFET晶体管,拥有最低的单位面积通态电阻,在650V额定电压应用中可实现
简介:<正>据《NEC技报》2005年第3期报道,该公司开发了用于手机基站的大功率、小型、高效的单芯片GaN晶体管。目前,用于基站的晶体管大都为Si或GaAs晶体管,为了获得240-300W的饱和输出功率,通常采用3-4个晶体管芯片进行功率合成。这次开发的单芯片功率管的特性大致如下:①在热导优异的SiC衬底上形成高品质的GaN和AlGaN的异质结;②形成高电压、大电流工作的场调制板(FP)电极结构;⑧采用可降低栅漏电流1/50的埋入电极结构。
简介:对35micro-x封装的微波晶体管防自激老化电路的各部分功能进行了详细介绍,讨论了如何判定管子是否处于稳定工作状态的方法。通过在测试间里搭建老化电路,模拟实际老炼状态,使用红外热像仪测试壳温的方法,比较了不同散热条件下的壳温测试数据,得出了管子的壳温以及管帽和管底之间的温度差。试验证明:在管底使用铝块和导热硅胶相结合散热的方法,能解决35micro-x封装形式的低结温晶体管老化过程中的结温控制问题。
简介:<正>Diodes公司推出全新20VNPN及PNP双极晶体管,它们采用超小型DFN1411-3表面贴装封装,能大大提升电源管理电路的功率密度和效率。该器件采用了Diodes第五代矩阵射极双极工艺设计(5matrixemitterBipolarprocess)。这对互补性器件ZXTN26020DMF和ZXTP26020DMF的占位面积只有1.1毫米×1.4毫米,离版高度为0.5毫米,有助于设计出极其纤巧的便携式产品,还可改善产品的电性能及热特性。
简介:本文介绍节能灯用晶体管的技术特性和发展现状,尤其是一些新型高反压高速功率晶体管,可用来进一步提高节能灯的质量及安全特性。
简介:本文介绍了在各种结构参数下光子晶体光纤的色散特性,总结了实现光子晶体色散补偿光纤和光子晶体色散平坦光纤的各种设计方法。利用光子晶体光纤结构设计的灵活性,可以设计出具有各种色散曲线的光子晶体光纤,而这些光纤大略可以分成两类:空气孔直径大小一致的普通光子晶体光纤和空气孔直径大小变化的光子晶体光纤。从数值仿真的结果来看,如果选择适当的空气孔分布结构,空气孔直径大小变化的光子晶体光纤可以具有非常优异的色散补偿和色散平坦特性。这些数值仿真为实际的光子晶体的制作提供了参考。
光子晶体的能带结构、制备技术和应用发展
对不同制备方法下的ZnO基薄膜晶体管透过率的研究
一维准周期结构光子晶体的滤波特性
用博奇编码的方法制作缺陷结构和复式结构的二维光子晶体
高效率双极晶体管
薄膜晶体管研究进展
表面发射光子晶体DFB激光器
电控晶体偏振控制器分析与研究
光子晶体发光二极管
RF和微波晶体管功率增益测量
光纤通信用光子晶体器件(二)
光纤通信用光子晶体器件(一)
光子晶体光纤在有源器件中的应用
ST推出MDmesh V功率的MOSFET晶体管
美国正在研究砷化铟镓晶体管技术
230W大功率GaN高频晶体管
微波晶体管满功率老炼技术研究
全新20V NPN及PNP双极晶体管
节能灯用晶体管的特点与进展
基于光子晶体光纤的色散补偿和色散平坦技术