简介:现在多晶硅晶锭生长工艺的主要特点是:长晶方向为由下往上,这就使得分凝系数大于1的极少部分金属原子及氧原子集中分布在晶锭底部,大部分分凝系数小于1的金属原子及大部分非金属原子分布在铸锭的顶部,这使得少子寿命呈现低部和顶部低、中间高的分布趋势;同时,由于坩埚及SiN粉末中金属杂质的扩散,多晶硅晶锭四周晶棒靠坩埚面少子寿命偏低。目前国内外关于电池片的少子寿命与电池质量关系的研究报道很多,但是尚没有把多晶硅晶锭生长、晶锭不同位置对应硅片少子寿命,以及晶锭不同位置对应电池片质量相关联起来的研究报告。本文通过精细的试验安排、测试分析及总结,把多晶硅晶锭生长、晶锭不同位置对应硅片少子寿命及其对应电池片质量相互关联起来,同时找到了电池端电池片质量差异较大的最根本原因,并且通过试验从根本上给出了提高电池端电池片质量稳定性的方向,提高多晶收率的同时提高了电池片平均效益0.2%。
简介:提出一种新型多平面太阳能聚光器,该型聚光器由若干矩形小平面镜和抛物型结构的框架组合而成,适用于太阳能在中温领域的应用。利用几何学原理和MonteCarlo方法研究新型多平面太阳能聚光器的几何光学特征及焦平面能流密度分布,分析不同综合误差对几何聚光比及能流密度分布的影响。研究结果表明:相比传统碟式聚光器,新型多平面聚光器在焦平面的光斑面积增大且能流密度分布均匀;该型聚光器的几何聚光比随着镜面排数M的增加而增加,在镜面排数M分别为7、9、11时,相应几何聚光比可达69、125、210,满足中温领域的使用要求;在相同的外部条件下,其运行性能受综合误差的影响较传统碟式聚光器小。