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  • 简介:本发明涉及一种用于制造半导体层或器件的衬底的制造方法,包括下述步骤:提供包括适合作用于CVD金刚石合成的衬底的至少一个第一表面的硅晶片;在所述硅晶片的第一表面上生长具有预定厚度并具有生长面的CVD金刚石层;将硅晶片的厚度减少至预定水平;以及在所述硅晶片上提供第二表面,

  • 标签: 金刚石合成 电子器件 衬底 制造方法 硅晶片 半导体层