简介：日本昭和电工日前宣布，通过自主技术开发成功了GaN蓝色LED芯片并投放市场。可作为液晶背照灯等使用LED方面，

简介：做Eu2+的第三的氮化物黄磷，Sr2Si5N8:Eu2+，用高温度被综合固态方法。X光检查衍射(XRD)模式证明那个Sr2Si5N8单个阶段被获得。因为Eu2+的半径比Sr2+的小，格子参数缩小了。排放系列给一个宽广排放乐队看了。随Eu2+集中的增加，排放山峰位置是redshifted。刺激系列给从主人和Eu2+离子的4f74f65d1转变发源的二个刺激乐队看了。与Sr2Si5N8的光特征相比:Eu2+和CaS:Eu2+黄磷在不同温度，二黄磷的紧张随温度的增加逐渐地减少了，这被注意。Sr2Si5N8的紧张:Eu2+黄磷比CaS的强壮:Eu2+，它显示前者的光特征比后者的好。

简介：在2005中国(厦门)国际半导体照明论坛产业投资研讨会上，与会专家普遍认为，在未来几年投资LED确实大有可为，而中国不管从市场、还是投资环境上，都是首选。

简介：Akindofsulphide,CaS:Eu2+,activatedbyeuropiumionforwhiteLEDlightingwassynthesizedviasolid-statereactionrouteinreducingatmospheres.Thephosphorswerethenencapsulatedwithsiliconeresin.Moreover,chemicalstructureofthephosphorswascharacterizedbyXRD.MicrostructureofthepowderswasobservedbySEM.Spectraofexcitationandemissionforthephosphorswerealsoobtainedbyaspectrophotometer.Effectofprocessingparametersontheluminescentpropertiesofthepowderswassystematicallystudiedtoresultinthephosphorswithgoodchemicalstabilityandmaximalrelativeluminescentintensity.

简介：LED产业快速崛起北京奥运会开幕式上，富有古典情韵的发光二极管（LED）大卷轴“惊艳全场”。这个徐徐展开的LED显示屏长147米，宽22米，装有4.4万颗LED灯，是全球最大的地面全彩LED屏。它不但节能、防水、防热，而且耐压——每平米可承受2吨的压力。为处理其LED芯片数据流，后台有460多个双CPU4核刀片服务器参与数据处理。

简介：广东省LED产业年产值今年有望达到5000亿元规模，这是日前在广州举办的“第一届推进LED照明组件产品国际化高峰论坛”传出的最新信息。

简介：　　GaN基化合物半导体材料技术和器件制造工艺的迅速发展已经引起了全世界的密切关注,成了近期半导体光源技术的发展热点,是许多国家政府能源战略关注的热门技术.……

简介：近日，四川新力光源通过使用最新研制的具有独立知识产权的稀土发光材料，当电流周期性变化时，利用荧光粉亮度的延迟变化，有效弥补发光频闪缺陷，有效解决了AC—LED存在的技术难题。

简介：韩国研究人员称已经制造出全世界第一个纯白色发光二极体（LED）。这组研究团队是由韩国国立首尔大学材料科学暨工程学系专门研究光子有机物质的教授Soo—YoungPark所带领，还包括来自西班牙瓦伦希亚大学的研究人员。

简介：过去一年间，LED户外照明节能优势测试项目已吸引了大家广泛的关注，LED路灯是属于未来照明的新兴事物，现在还处于初期成长阶段，特别是和LED光源代替传统交通信号灯相比。许多城市安装了大量LED信号灯模组，感受到其在节能、维护费用低方面的优势，并宣称成为LED城市。

简介：韩国计划分两个阶段提升LED照明普及率至60％，届时将带动2020年照明占韩LED产值比重逾4成。相关组织机构指出，韩国已于2011年6月公布“LED照明2060计划”，订立2020年其LED照明普及率将达60％的目标。

简介：日前，总投资200亿元，总占地1000亩的国内规模最大LED生产基地落户江苏启东。该项目由林洋集团新组建的江苏华乐光电有限公司投资建设，工程一期总投资17亿元，建筑面积30万平方米，预计今年上半年完工。一期项目建成后，将全部采用目前国际上最先进的单晶生产设备和技术工艺，各项技术参数全部达到国际先进水平，可年产2英寸蓝宝石衬底片2369．6万片及LED应用灯具800万套，预计年销售收入50亿元，利税总额10亿元。

简介：据越南通讯社消息，日本最大的化学公司一信越化学株式会社将在越南投资建两个工厂，分别生产高亮度LED灯用的硅基材料和高纯稀土材料，总投资50亿日元，约合6400万美元。

简介：AnovelTb（III）ternarycomplexTb（p-BBA）_3MAAwassynthesizedwith4-benzoylbenzoicacid（p-BBA）andmethacrylicacid（MAA）asligands.ThecomplexwascharacterizedbyIR,UV-visible,thermogravimetricanalysisandfluorescencespectroscopy.Monitoredat544nm,thecomplexdisplayedwideandstrongexcitationbandat300–400nm,whichmatchedwellwiththe365nm-emittingUVchip.Thecomplexexhibitedexcellentgreenemissionat544nm（~5D_4→~7F_5transitionofTb~（3＋））underanexcitationat365nm.Besides,thecomplexshowedhighthermalstability.Itsintramolecularenergytransferprocesswasfurtherdiscussed.Furthermore,thecomplexalsohadhigherfluorescencelifetime（1.38ms）andhigherquantumyield（0.372）.Finally,electroluminescentpropertiesindicatedthatwhenusedtofabricateLEDwith365nmUVchip（powerefficiencyis18.6lm/W）,thecomplexremaineditsfavorableopticalperformance.TheseresultsimpliedthatTb（p-BBA）_3MAAcouldbeusedasagreenphosphorforNUV-basedwhiteLED.

简介：有一致形态学的新奇红射出的K2(Ge,Si)F6:Mn4+黄磷被一起沉淀方法综合。纯K2有P636阶段>除P3m1空间组以外的mc空间组就被Si的加入在K2在房间温度的GeF6根据XRD描述。薄片状的显示出的SEM图象和为K2GeF6:Mn4+和K2(Ge,Si)F6:Mn4+黄磷分别地。光致发光刺激(PLE)和光致发光(PL)在K2GeF6:Mn4+和K2(Ge,Si)F6:Mn4+系统。并且K2有Si的GeF6:Mn4+显示出一座强壮的山峰。同时水晶的地包围Mn4+变化能在这个氟化物系统影响腐烂时间。带的设备的颜色范围基于K2(Ge,Si)F6:Mn4+和K2分别地，GeF6:Mn4+到达了多达94.58%NTSC(国家电视标准委员会)和94.386%NTSC那基于氮化物红黄磷比那高得多。在K2(Ge,Si)F6:Mn4+黄磷的所有这些原来的特征作为为改善灯光和常规白LEDs的显示质量的红黄磷为潜在的应用是合乎需要的。