简介：紧耦合气雾化制粉过程中,当雾化气压超过某一临界值时,直管环缝型喷嘴的气雾化流场结构存在＂开涡—闭涡＂突变现象,雾化效果随之发生显著改变。该文采用数值模拟方法研究紧耦合喷嘴气体流场中开涡和闭涡结构特征及其突变行为,以及雾化介质类型和喷嘴几何结构参数（喷射顶角、导液管伸出长度和末端直径、环缝宽度）对临界雾化压力Pc的影响。结果表明：当雾化压力P略高于Pc时,马赫盘迅速截断回流区,流场结构由开涡向闭涡突变,并引起喷嘴熔体出口下方抽吸压力Pa骤降,突变前后抽吸压力差ΔPa约为30kPa;雾化介质类型和喷嘴主要几何结构参数对Pc有显著影响,但对ΔPa无明显影响。

简介：采用Al片和SiO2粉末为原料，以H2为保护气氛，通过气相沉积方法合成Al2O3纳米片。采用XRD、SEM、TEM和EDS等分析表征手段研究合成的Al2O3纳米片的物相组成、显微形貌和微区成分。结果表明：合成的Al2O3纳米片具有光滑平整的表面，厚度为100-300nm，具有完好的菱方六面体结构。通过纳米压痕仪对合成的α-Al2O3纳米片的力学性能进行原位表征，利用Oliver-Pharr方法由加载．卸载曲线直接计算纳米片的硬度和弹性模量，经计算得知α-Al2O3纳米片的硬度值为26±5GPa，略高于单晶α-Al2O3块体材料；弹性模量为249＋32GPa，仅相当于对应的单晶块体材料的55％左右。

简介：采用化学气相沉积法（chemicalvapordeposition，简称CVD）不仅可以制备金属粉末，也可以制备氧化物、碳化物、氮化物等化合物粉体材料。该法是以挥发性的金属卤化物、氢化物或有机金属化合物等物质的蒸气为原料，通过化学气相反应合成所需粉末，因其制备的粉末纯度高，比表面积大，结晶度高，粒径分布均匀、可控，在粉体材料制备方面的应用日趋广泛。该文主要介绍CVD技术制粉的形成机理和研究进程。CVD法制粉主要包括化学反应、晶核形成、粒子生长以及粒子凝并与聚结4个步骤。按照加热方式不同，CVD技术分为电阻CVD、等离子CVD、激光CVD和火焰CVD等，用这4种技术制备超细粉末各有其优缺点，选择合适的气源，开发更为安全、环保的生产工艺，以及加强尾气处理是使CVD法制备超细粉体材料付诸于工业应用的重要保证。