简介：转运点诱导气流是散料输送过程扬尘的主要诱因,本文以半封闭转运点为研究对象,通过对落料质量流量mp、有效诱导气流量Q、落料高度h及密闭罩阻力系数ξ等的研究,探讨转运点落料诱导气流非线性变化影响因素。结果表明：诱导气流随物料质量流量增加而增加;受物料相互作用对气流流动的影响和落料管有效流动空间变化影响,有效诱导气流随质量流量增加而减小,在量值上与物料质量流量的-0.77次方近似成正比;转运点落差的有限性使落料过程处于加速阶段,物料曳力系数处于Allen区,诱导气流速度随落料高度的变化趋势基本相同;对平均阻力系数ξ=2.12的密闭罩系统,诱导气流速度与下落高度的0.86次方近似成正比;物料下落初期颗粒间相互碰撞、接触等作用较强,对3.6~11.1mm的落料,诱导气流随粒度增大有减小趋势,但关联性较弱。

简介：在AR2000ex型流变仪上对沉淀碳酸钙（Precipitatedcalciumcarbonate,PCC）在PEG（聚乙二醇）悬浮体系进行稳态剪切流变实验。通过2种方法来改变分散体系黏度：1）以PEG200（相对分子质量为200）为连续相,分散体系以10℃为间隔从10℃上升至50℃;2）在30℃用相同的聚合物3种不同相对分子质量的PEG（PEG200、PEG400和PEG600）。结果表明随着温度升高,PCC/PEG200分散体系的临界剪切速率越来越大。在剪切增稠区内流动指数N随温度升高而降低,稠度系数K随着温度升高而升高。临界剪切速率以及临界剪切黏度与温度严格满足Arrhenius关系：η=Aexp[Ea/（RT）]。研究发现随温度的变化临界剪切应力不变。随着PEG的相对分子质量增加,分散体系的黏度增加,临界剪切增稠速率减小。PCC粉末的分形结构以及聚集体的形貌使得体系的相对黏度远大于硬球体系的相对黏度。

简介：采用座滴法研究反应烧结（Reactionbonded）SiC/Co-Si体系在真空中的润湿性及界面反应,并研究Si含量和实验温度对润湿角的影响。结果表明,元素Si对反应烧结（RB）SiC/Co-Si体系的润湿性有显著影响,当Co-Si钎料粉体中Si含量（质量分数）为6.7%和60%时,体系的最终润湿角都低于SiC/纯Co体系。SiC/Co-Si体系的润湿过程属于反应性润湿,随着温度升高,润湿角明显减小。微观结构研究和XRD相分析表明,对于SiC/Co-3Si体系（Co-3Si钎料中Si的质量分数为3%）,界面区域发生了化学反应,反应产物为CoSi和碳,同时发生元素的互扩散,形成反应中间层;对于SiC/Co-60Si体系,界面反应产物只有CoSi2,界面区域没有存留碳。界面反应改变体系的界面结构,从而改善体系的润湿性。

简介：硝酸银溶液中加入浓氨水配制成一定pH的银氨溶液,加入双氧水作还原剂制备超细银粉,对加料方式、银氨溶液pH值、AgNO3溶液浓度、双氧水浓度等参数以及分散剂对银粉的影响进行研究。结果表明,采用正向快速加料法可制备出分散性好的银粉;调节银氨溶液pH值可改变银颗粒的Zeta电位,进而改变银粉的分散性;银粉粒径随双氧水浓度提高先增大后减小,随AgNO3溶液浓度提高而增大;分散剂对银粉形貌有较大影响。在硝酸银溶液浓度为0.1~0.3mol/L,银氨溶液pH值为10.0~11.0,双氧水浓度（质量分数）为3%的条件下,不使用任何分散剂可制备出分散性较好、平均粒径1.9~2.3μm的类球形银粉。

简介：以聚己内酯（PCL）和二苯基甲烷二异氰酸酯（MDI）等为主要原料，分别采用二甘醇（DEG）、（2，2-二羟甲基丙酸（DMPA）、N-甲基二乙醇胺（MDEA）作为扩链剂合成聚氨酯预聚体，然后加入交联剂过氧化苯甲酰（BPO）进行自由基聚合，制备PCL／MDI／DEG新型聚氨酯水凝胶。研究扩链剂种类以及扩链剂DEG用量对聚氨酯水凝胶接触角、溶胀度、形貌等的影响，并研究扩链剂对聚氨酯水凝胶载氯霉素性能的影响。结果表明，以DEG为扩链剂制备的聚氨酯水凝胶亲水性最差，材料表面孔隙较少，氯霉素载药量最小，但前期药物释放速率比其它2种扩链剂制备的水凝胶更快。而以带有羧基的DMPA和带有叔氨基官能团的MDEA为扩链剂制备的聚氨酯水凝胶，亲水性较强，表面具有微孔结构，氯霉素载药量较大。随扩链剂DEG用量增加，聚氨酯水凝胶的溶胀度增大，接触角逐渐减小，表面形貌无明显变化。

简介：利用Ta2O5-NaF-C混合粉末为原料,采用碳热还原法在石墨表面制备不同形态的碳化钽晶须,利用SEM和XRD对晶须的形貌、结构与成分进行观察与分析,采用热力学计算与实验验证相结合的方法研究不同形貌碳化钽晶须的生长机制。结果表明：TaC晶须存在不同的生长机制,当原料粉末添加量较少时,石墨表面主要生长出圆柱状晶须伴有头部液滴状结构,原料粉末添加量较多时得到规则的四方柱状结构晶须,也存在2种不同形貌晶须并存的情况。圆柱状晶须为VLS（气-液-固）生长机制;四方柱状TaC晶须为VS（气-固）生长机制。在VLS机制中,催化液滴的主要成分为NaTaO3。