简介：本文介绍了Infineon公司专为Inom〉300A中大电流应用设计的最新的650VIGBT4。与600VIGBT3相比，该器件在关断时具有更好的软度和更高的阻断电压能力。实现上述特性的主要措施在于增加了芯片的厚度，减小了MOS沟道的宽度，提高了背面的发射效率。相应地，器件的短路鲁棒性也有了显著的改进。
650V IGBT4:可承受10μs短路时间的大电流模块用最优器件
