简介：【摘要】随着科学技术的不断向前发展，相较于上个世纪，人类对核辐射及核能的认知得到了进一步的发展，当下，辐照探测技术在国防应用，核医学、核电站检测、环境检测等众多领域都有重要意义。目前，辐射探测器的种类主要分为气体探测器，闪烁体探测器和半导体探测器，近年来，以GaN为代表的宽禁带半导体材料以其宽禁带、临界击穿电场高、载流子饱和漂移速度快、抗辐照性能强等优良特性得到了广泛关注，在GaN材料生长和制备技术不断提升的背景下，以GaN材料为底材的半导体辐射探测器得到了进一步研究，本文主要以GaN材料为例，通过SRIM软件模拟α粒子在其中的沉积过程。
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