简介：现在多晶硅晶锭生长工艺的主要特点是：长晶方向为由下往上，这就使得分凝系数大于1的极少部分金属原子及氧原子集中分布在晶锭底部，大部分分凝系数小于1的金属原子及大部分非金属原子分布在铸锭的顶部，这使得少子寿命呈现低部和顶部低、中间高的分布趋势；同时，由于坩埚及SiN粉末中金属杂质的扩散，多晶硅晶锭四周晶棒靠坩埚面少子寿命偏低。目前国内外关于电池片的少子寿命与电池质量关系的研究报道很多，但是尚没有把多晶硅晶锭生长、晶锭不同位置对应硅片少子寿命，以及晶锭不同位置对应电池片质量相关联起来的研究报告。本文通过精细的试验安排、测试分析及总结，把多晶硅晶锭生长、晶锭不同位置对应硅片少子寿命及其对应电池片质量相互关联起来，同时找到了电池端电池片质量差异较大的最根本原因，并且通过试验从根本上给出了提高电池端电池片质量稳定性的方向，提高多晶收率的同时提高了电池片平均效益0．2％。
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