简介：<正>我国第一个当代制造技术最高水平(12英寸、0.13微米)的超大规模集成电路生产线中芯国际北京项目于2002年9月29日正式启动。该项目总投资12.5亿美元,目前正在进行主体厂房和水、电、气等所有辅助设施建设,其中两个大型厂房和特种气体厂房于2003年年底封顶。2004年初开始设备安装,2004年6月开始试生产。

简介：<正>天水华天微电子有限公司表面贴装式集成电路封装生产线技改项目,日前通过了由信息产业部电子信息产品管理司和甘肃省经贸委邀请有关部门领导与专家联合组织的项目竣工评审验收,标志着天水华天微电子有限公司已成为我国西部集成电路封装产业化发展的重要基地。公司董事长肖胜利说,争取在2004年使封装能力达到20亿块,销售额达到3亿元以上;2004年～2005年,通过技术攻关和技术改造,切入BGA、CSP、FC、MCM等高阶层封装品种,使封装产能达到30亿块,年销售额达到四、五亿元;2006～2007年,在继续抓技术改造中,使封装产能达到50亿块,年销售额达到六、七亿元;到2010年,争取达到80亿块以上的封装规模和十亿元以上的年销售额。

简介：<正>《中国电子报》2004年9月25日报道,中芯国际公司在北京的第一座12英寸芯片厂成功投入正式运营阶段。这标志着我国集成电路制造技术已经跨入300毫米时代。中共中央政治局委员、北京市市委书记刘淇,北京市市长王岐山和信息产业部副部长娄勤俭等参加了中芯国际公司为此举办的庆祝活动。

简介：<正>据中国电子材料网引用PCBA报导,在2005年11月9日于东京举行的"第16届微机械展"上,富士电机系统公司展出了使用硅的印刷电路板"IMM"(In-telligentMicroModule)。IMM使用硅工艺技术生产。可实现最多3层的多层布线,同时还可以嵌入电容器和电阻。布线宽度为5μm-50μm。因为IMM与LSI共用硅底板,线膨胀系数相同,所以基本上不会出现因温度等因素变化而引起的LSI从IMM上剥落的问题。IMM主要面向医疗、计量及网络设备等领域。在IMM上封闭有裸片或采用BGA封装的LSI以及被动元件。富士电机系统在MEMS压力传感器和放射线传感器等的生产线上生产IMM,可将这些传

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简介：<正>Agere公司日前宣布推出业界首个单芯片48端口千兆以太网(GbE)交换芯片和功率最低的GbE八端口物理层芯片(PHY)。新推出的产品瞄准日益增长的GbE芯片市场。根据行业分析公司IDC的数据,2005年GbE芯片市场规模预计将超过10亿美元。

简介：<正>根据网站SemiconductorReporter报导,英特尔科技策略主管暨半导体ITRS主席PaoloGargini日前在美旧金山SemiconWest专题演讲中表示,摩尔定律(Moore’sLaw)还活得好好的,未来15～20年仍未有变化,别急着将互补性金属氧化物半导体科技判死刑,预估CMOS制程科技还有20年日子,英特尔估计到2030年将进入0.016μm制程世代,不过,就半导体设备商的立场来看,现在应可开始为CMOS后继者所需导入全新的设备研发预作准备。

简介：<正>成都国腾微电子公司日前宣布,他们已面向倒车雷达应用推出采用ASIC设计的GM3101专用芯片。该芯片据称能有效降低倒车雷达产品开发的技术门槛,显著提高产品的灵敏度、可靠性和稳定性,可完全替代传统单片机方案,而其成本仅相当于单片机方案的60%。GM3101具备四路超声波探头驱动接口,探头发送驱动信号的强度为5V@2mA。此外,它内部还整合有多级运放、多路开关、比较器电路及大量的分离元件,而且外部电路十分简单。该芯片的其它特性还包括:

简介：<正>据调查公司的报导,2004年半导体市场以23%～28%的增长率增长。其特点是由DRAM和Flash存储器牵动市场。从地域上来说,亚洲市场增长显著。WSTSCY对未来市场的预测表明,2005年谷底状况将在2006年有所好转,虽然2005年和2006年市场前景都不容乐观,但也不会出现2001年半导体产业那种大幅负增长的情况。

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