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IGBT-新概念、
新
模型、
新
器件
作者:
梁苏军
学科:
电子电信
>
电路与系统
创建时间:2005-01-11
出处:
《电力电子》
2005年第1期
简介:
本文分三个专题,介绍了IEEE第15届国际功率半导体器件和集成电路研讨会(SPSD’03)上有关IGBT的第二部分文章,供专业人士参考。
标签:
绝缘栅双极晶闸管
半导体功率器件
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IGBT-新概念、
新
模型、
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器件
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