简介：摘要：金属薄膜与氧化物基底形成的层叠式复合材料在集成电路、电磁存储、催化等传统领域有着广泛应用，同时在太阳能电池、辐射、超导等新兴领域也展现出良好应用前景。界面是复合材料重要的组成部分，是基体与增强体接连的桥梁，其微观结构与材料性能密切相关。本文以铜(Cu)薄膜和氧化镁(MgO)高指数面基底（(100)）形成的界面为研究对象，采用第一性原理模拟方法计算了Cu/MgO(100)的界面间距和界面分离功。
铜薄膜与氧化镁基底界面微观结构计算机模拟研究
