简介：摘要：真空灭弧室的场致发射特性直接影响着真空开关的分断能力，而高频涌流是影响场致发射特性的一个重要因素。通过对真空灭弧室进行高频电流激励，并在实验上测量了不同磁场下的场致发射电流。结果表明，在高频电流激励下，真空灭弧室中的电磁场分布呈现出“中心强、边缘弱”的特征；在磁场较大时，电磁场分布呈现为双极子型分布；在高频电流激励下，真空灭弧室中的电场强度明显增大，但由于等离子体放电等离子体具有较强的局部场强，使得局部电场强度分布并不均匀。通过在真空灭弧室中施加高频涌流，并改变电磁场的大小和方向，能够有效地抑制真空灭弧室中的场致发射电流。研究结果为提高真空开关分断能力提供了理论依据。
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