简介：摘要二氧化硅(SiO2)薄膜是一种良好的表面钝化膜和介质膜,广泛应用于太阳电池和微电子工艺。二氧化硅薄膜的制备方法主要有热氧化法和化学气相沉积法。热氧化工艺是指在高温(600-1000℃)下氧化硅片表面形成SiO2薄膜,包括干氧氧化、湿氧氧化以及水汽氧化。使用氧化炉在高温有氧条件下生成致密性较好的二氧化硅层在PERC电池上会引起对杂质的再分布，对电池的电性能提升，有一定的效果。
热氧化工艺的双面率的研究
