简介：
简介：<正>据报道,日本富士通公司开发出了新型倒装芯片封装技术。该技术可形成35微米超细间距的焊点和高精度的倒装芯片互连。与传统倒装芯片互连相比,该项技术突破性将连接密度提高了大约50倍。传统的倒装芯片技术为了避免焊点间的短路,焊点间距大约介于
简介：<正>据《PortableDesign》2008年第1-2期报道,意法半导体(STM)成功制造出采用CMOS45nm射频制造技术的功能芯片。这项尖端技术对下一代无线局域网(WLAN)应用产品至关重要。
简介：<正>据《NIKKEIELECTRONICS》2002年第9—23期报道,日本松下电子新开发了用于GSM手机的天线开关。该器件采用了松下电子开发的LTCC制造技术,厚度由原来的1.8mm降为1.5mm。从而提高了集成度,实现了SAW滤波器的集成。其外形尺寸为6.7mm×5.5mm。该器件的样品价格在506日元～700日元之间,计划2003年7月开始批量生产。
简介：<正>据报道,IBM.Infineon和Chartered三家公司达成一项联合协议,共同加快65nm芯片制造技术的开发进程。目前最先进的芯片生产工艺是90nm。该项合作的基础是各家公司的优势,其中包括IBM领先的芯片制造工艺、Infineon的低功耗芯片技术和Chartered的通用封装工艺,该封装工艺适用于90nm、65nm以及未来的45nm生产工艺。其工作将在IBM纽约实验中心完成。
Broadcom公司强化无线技术市场
TSMC介入高端封装技术
新型倒装芯片技术的开发
45nm CMOS射频技术的升级
日本松下采用LTCC技术集成SAW滤波器
IBM等公司联合研制65nm芯片制造技术
