简介：摘要目的探究单次间歇性θ短阵脉冲刺激(intermittent theta-burst stimulation，iTBS)对轻度认知功能障碍(mild cognitive impairment，MCI)患者脑电功能连接的影响。方法2020年7~11月选取MCI患者40例，随机分为iTBS真刺激组和iTBS假刺激组，每组20例。iTBS作用靶点为左侧背外侧前额叶皮质(dorsolateral prefrontal cortex，DLPFC)。基线期使用蒙特利尔认知评估量表(Montreal cognitive assessment，MoCA)、简易精神状态评价量表(mini-mental state examination，MMSE)、日常生活能力量表(activity of daily living scale，ADL)、汉密尔顿抑郁量表(Hamilton depression scale，HAMD)、汉密尔顿焦虑量表(Hamilton anxiety scale，HAMA)进行评估。在两组单次干预前后，分别采集5 min静息态脑电图(resting-state electroencephalography，rsEEG)，计算脑电功能连接的相位延迟指数(phase lag index，PLI)，并绘制功能连接矩阵图。统计分析使用SPSS 26.0软件。数据采用χ2检验、秩和检验、独立样本t检验进行统计分析。结果两组MoCA、MMSE、ADL、HAMD和HAMA评分差异无统计学意义(均P>0.05)。iTBS真刺激组中，与治疗前[0.140(0.133，0.144)]相比，治疗后β频段PLI[0.146(0.136，0.167)]显著增加，差异有统计学意义(P<0.05)，PLI增高的区域主要集中在中央区(C3/C4-T7/T8)。iTBS真刺激组iTBS治疗后α频段PLI[0.286(0.241，0.359)]与iTBS治疗前[0.251(0.232，0.299)]相比有增高的趋势，但差异无统计学意义(P>0.05)。结论单次iTBS可使MCI患者脑电功能连接增加，iTBS作用于左侧DLPFC可以有效地调节MCI患者的脑电功能连接，这可能揭示了iTBS改善MCI患者认知功能的作用机制。