简介：通过建立一个典型的金／硅界面结构模型，对X射线入射界面时的剂量增强效应进行了研究。采用MonteCarlo方法计算了不同能量X射线入射金／硅界面的输运过程。其中，对X射线产生的次级电子在介质中的输运，采用了单次碰撞直接模拟方法；对电子的弹性散射截面和非弹性散射截面，分别采用Mott微分截面和Born近似下的广义振子强度模型计算得到。研究计算了不同能量X射线入射下，金／硅界面的剂量增强系数及特定X射线能量下剂量增强系数随金厚度的变化规律。结果表明：X射线能量为几十至几百keV时，剂量增强效应最明显，最大剂量增强系数对应的X射线能量随距金／硅界面的距离增加而增加；金的厚度影响界面附近剂量增强效果，当X射线能量不变时，剂量增强系数随金的厚度增加而增加，并趋于饱和值。
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