首页 > 《科技新时代》 > 2024年10期 > VDMOS器件导通电阻工艺优化方法总结

VDMOS器件导通电阻工艺优化方法总结

在线阅读下载PDF 导出详情

摘要摘要：在功率MOSFET器件中，导通电阻Rdson直接决定器件在导通状态下的正向压降和导通功耗，是器件最关键的参数之一。在器件结构和版图已经确定的情况下，在器件工艺制造环节中，也会有许多工艺影响Rdson参数，本文结合微晶微电子公司近一年在产品开发中的工艺实践，对优化导通电阻的工艺方法做一总结。

DOI lj1eeg7kgd/8571020

作者史瑞王莎莎吴慧敏

机构地区西安微晶微电子有限公司工艺整合部，陕西西安 710000

出处《科技新时代》 2024年10期

关键词

分类 [建筑科学][建筑技术科学]

出版日期 2024年08月15日（中国期刊网平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

相关文献

1江兴. Vishay Siliconix的双芯片P沟道器件刷新业内最低导通电阻纪录.物理电子学,2011-02.
2谢欢, . 浅析电缆组件导通电阻异常问题.,2023-05.
3李昊忱,,闫紫凡,,李灿. 接地导通电阻表检定中的不确定度评定.建筑技术科学,2024-07.
4吴慧敏1,魏干1,王展杰2. 功率器件VDMOS渐变型IDSS散点失效分析.建筑技术科学,2021-07.
5陈川. 接地导通电阻测试仪的测量线(弹簧夹)电阻值的影响和消除.电力系统及自动化,2018-12.
6黎丛焕. 接地导通电阻测试仪测量结果不确定度评定分析.建筑理论,2022-11.
7吴茜,王莎莎,翁锴强. 高压 VDMOS器件 P区注入对阈值电压的影响.建筑技术科学,2019-12.
8吴茜王莎莎翁锴强. 高压VDMOS器件P区注入对阈值电压的影响.社会学,2019-09.
9魏干,吴慧敏,罗智化. VDMOS芯片IGSS失效分析方法.建筑技术科学,2021-07.
10代海洋;翟凤潇;蒋逢春. 惠斯通电桥测电阻及电阻温度系数的教学探讨.物理,2017-02.

来源期刊

科技新时代

科技新时代

相关推荐

同分类资源更多

相关关键词

返回顶部