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《材料导报:纳米与新材料专辑》
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低维Ⅳ元素半导体纳米材料制备方法的研究进展
低维Ⅳ元素半导体纳米材料制备方法的研究进展
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摘要
低维半导体纳米材料由于具备许多特殊的电学及光学性能,近年来受到研究学者的广泛关注。综述了近期国内外低维Ⅳ族元素半导体纳米材料制备方法的研究进展,并对已经报道的制备方法进行了分类和总结,展望了低维元素半导体的研究前景。
DOI
rj8yqoy740/817410
作者
吴海平;张国庆;王辉;夏燕萍;陶宇;陶国良
机构地区
不详
出处
《材料导报:纳米与新材料专辑》
2009年2期
关键词
纳米材料
半导体
硅
锗
分类
[一般工业技术][材料科学与工程]
出版日期
2009年02月12日(中国期刊网平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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来源期刊
材料导报:纳米与新材料专辑
2009年2期
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