退火气氛对ZnO:N薄膜的光电性质影响

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摘要 研究了退火气氛对ZnO:N(氮掺杂的氧化锌)薄膜的光电性质影响。结果发现,n型电导原位生长的ZnO:N薄膜样品,经过600℃O2气氛下退火后,样品A表现为P型电导特征;而经过600。CNz气氛下退火后,样品B仍然表现为n型电导特征。低温光致发光光谱(PL)测试表明,样品A和样品B的发光光谱最大的差别为样品A的低温发光光谱中具有与受主相关的发光峰,峰位位于3.348eV;样品B的低温发光光谱中具有与施主相关的发光峰,峰位位于3.358eV。
机构地区 不详
出处 《上海电机学院学报》 2009年3期
出版日期 2009年03月13日(中国期刊网平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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