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IR推出增强型25V及30VMOSFET

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摘要国际整流器公司（InternationalRectifier，简称IR）推出一系列新型25V及30VN通道沟道HEXFET功率MOSFETo它们针对同步降压转换器和电池保护增强了转换性能，适用于消费和网络领域的计算应用。新M0s—FET系列采用了IR经过验证的硅技术，可提供基准通态电阻（RDS（on）），并且提高了转换性能。新器件的低传导损耗改善了满载效率及热性能，即使在轻负载条件下，低转换损耗也有助于实现高效率。除了D—PAK、I—PAK和SO-8封装之外，

DOI 6jrlxxmpj5/764663

作者

机构地区不详

出处《单片机与嵌入式系统应用》 2009年7期

关键词 IR 增强型 HEXFET 国际整流器公司同步降压转换器 SO-8封装

分类 [自动化与计算机技术][计算机系统结构]

出版日期 2009年07月17日（中国期刊网平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）