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正装结构的大广角LED芯片设计

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摘要摘要：针对LED直下式背光应用，对传统正装LED芯片光场分布进行优化设计。通过在芯片Sapphire面与正面面同时蒸镀DBR(Distributed Bragg Reflector)来增大LED芯片侧边发光强度，以改变传统LED芯片琅勃型发光分布，设计并制作了一种大广角LED芯片。结果表明：采用双DBR设计的LED芯片的发光角接近160°，相比传统LED芯片的发光角提升了20°。本文还利用光学模拟软件TracePro进行了建模仿真，发现采用双DBR结构设计的大角度LED芯片在无透镜的直下式背光应用中，屏幕的均匀性明显优于传统LED。

DOI 0dp8zwqw42/6755969

作者胡坤怀谢政璋

机构地区开发晶照明(厦门)有限公司，福建厦门 361000

出处《科技新时代》 2022年18期

关键词直下式背光双DBR设计大角度LED

分类 [][]

出版日期 2023年01月09日（中国期刊网平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

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