我国在非极性GaN材料研究中取得进展

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摘要 在国家863项目和中国科学院创新工程的支持下,中科院半导体研究所曾一平研究员带领的课题,采用自行研制的HVPE氮化物生长系统,通过在m面蓝宝石上磁控溅射生长薄层的ZnO缓冲层,进而外延生长获得了非极性GaN厚膜材料,该材料具有较低的位错密度,适合开发用于LED、LD等氮化物发光器件的衬底材料,同时对比实验表明,薄层的ZnO对于形成非极性GaN起到了至关重要的作用,
作者
机构地区 不详
出处 《现代材料动态》 2008年8期
出版日期 2008年08月18日(中国期刊网平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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