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《中国集成电路》
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2008年7期
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一种双控制回路低相位噪声CMOS压控振荡器设计
一种双控制回路低相位噪声CMOS压控振荡器设计
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摘要
在集成锁相环中,压控振荡器的输出频率范围要能随所有工艺和工作条件的变化而覆盖所需的频率范围。增大压控振荡器的增益而实现宽调协范围会增加压控振荡器和锁相环的相位噪声。在这篇文章中,通过两路控制来得到压控振荡器中心频率可调,实现了非常小的压控振荡器增益。
DOI
2d31k15l49/609367
作者
陈强;王楠
机构地区
不详
出处
《中国集成电路》
2008年7期
关键词
相位噪声
中心频率
频率范围
增益
分类
[电子电信][微电子学与固体电子学]
出版日期
2008年07月17日(中国期刊网平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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来源期刊
中国集成电路
2008年7期
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