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日本藤仓公司开发高质量AlN单晶

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摘要 Ⅲ族氮化物半导体材料AlN单晶可应用于蓝色、紫外发光元件和耐高压、高频元件，作为宽带隙化合物半导体材料在市场潜力巨大的蓝色、紫外和白色LED和耐高压、高频电源IC等方面应用前景非常好。

DOI zdl1v5mm4l/541364

作者杨晓婵（摘译）

机构地区不详

出处《现代材料动态》 2007年9期

关键词 ALN 单晶化合物半导体材料质量开发日本

分类 [一般工业技术][材料科学与工程]

出版日期 2007年09月19日（中国期刊网平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

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现代材料动态

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