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ITO 表面粗化提高 GaN基 LED芯片出光效率

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摘要摘要：随着高亮度 GaN 基 LED 在照明领域的广泛应用，提高 LED 芯片的发光效率成为一个重要的研究课题。 LED 芯片有源层产生的光从半导体材料向外出射时，受全反射效应的限制，只有少部分光能够辐射到自由空间。大部分光经过多次全反射后被半导体材料、有源层和金属电极吸收并转化成热量，严重影响芯片的出光效率。一种有效的方法是在芯片表面制造微结构，增加半导体材料与封装材料之间的界面发出光的角度的随机性，降低光全反射的概率，从而提高光输出的效率。

DOI g4q8m5er48/4619296

作者界晓菲

机构地区天津三安光电有限公司天津 300384

出处《中国电业》 2020年03期

关键词 LED ITO 表面粗化出光效率

分类 [经济管理][产业经济]

出版日期 2020年05月25日（中国期刊网平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）