集成电路ESD注入损伤效应及注入电压与能量间的关系-中国期刊网

摘要利用静电放电(ESD)模拟器对集成电路芯片进行电压注入损伤效应实验,通过存贮示波器记录的波形进行乘法和积分运算,得到对应注入电压下芯片上吸收的平均峰值功率和能量.对放电电压与平均峰值能量作散点图,采用曲线拟合的方法对离散点进行拟合,针对该曲线拟合的方法进行了分析,最终建立了ESD注入电压与平均峰值能量之间的数学模型.

11刘涛,2魏相美,3许海宇,4乔丰,5王虹. 集成电路ESD防护浅析.建筑技术科学,2023-08.
2陆坚;王瑜. 集成电路闩锁效应测试.物理电子学,2007-12.
3杨雪. 集成电路ESD保护及其可靠性检测研究.文化科学,2019-03.
4胡永强;周晓彬. 基于SOI工艺集成电路ESD保护网络分析与设计.物理电子学,2014-03.
5任建,曹昱,张国卿,龚林文. 浅析学科竞赛与集成电路课程的关系.建筑技术科学,2024-11.
6董啸. 半导体集成电路的静电损伤及其对策.建筑技术科学,2021-05.
7叶国俊. 多层封装集成电路芯片的叠层集成电路封装结构.建筑技术科学,2024-01.
81魏相美,2刘涛3,徐荣香,4乔丰. 探究集成电路与人工智能的关系.建筑技术科学,2023-08.
9赵大坤，,王丽，,刘文. 人工智能与集成电路的关系探讨.工程地质学,2020-05.
101李霄,2石潍业,3崔红燕,4朱登基. 半导体的发展与集成电路发展的关系探究.建筑技术科学,2023-08.

集成电路ESD注入损伤效应及注入电压与能量间的关系

来源期刊

相关推荐

同分类资源更多

相关关键词

集成电路ESD注入损伤效应及注入电压与能量间的关系

来源期刊

相关推荐

同分类资源 更多

相关关键词

同分类资源更多