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《电子与封装》
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2004年2期
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Bipolar技术中多晶发射极的腐蚀
Bipolar技术中多晶发射极的腐蚀
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摘要
在现代比较先进的Bipolar技术中,一般采用多晶发射极结构,这种结构可以提高双极管放大倍数和频率响应特性,因此,这种结构得到广泛的应用。由于这种结构中多晶是直接和硅衬底接触的,多晶腐蚀时要注意过腐蚀量、腐蚀均匀性以及腐蚀后硅衬底的形貌问题。本文主要介绍在这种工艺过程中我们进行的相关实验以及控制方法。最后,简单介绍我们工艺开发的第一批结果。
DOI
3j797ykq41/2222577
作者
郑若成;刘丽艳;徐政
机构地区
不详
出处
《电子与封装》
2004年2期
关键词
Bipo1ar技术
多晶发射极
腐蚀
双极CMOS兼容
实验设计
分类
[电子电信][物理电子学]
出版日期
2004年02月12日(中国期刊网平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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来源期刊
电子与封装
2004年2期
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