摘要
O482.3199053393Ga1-xAl-xAs外延片有源区Al组份的测定方法=MeasurablemethodofaluminiumcompositeofGa1-xAlxAsepitaxialmaterialwithinactiveregion[刊,中]/刘学彦（中科院长春物理所.吉林,长春（130021））//发光学报.—1998,19（4）.—361—363利用电致发光测得Ga1-xAlxAs外延片有源区发射光谱,并通过公式计算得出有源区Al组份值。图4表1参3（常唯）O72299053394半绝缘GaAs单晶化学配比的X射线双晶衍射Bond方法测量=BondmethodmeasurementofstoichiometryinSi—GaAsbulkmaterialbydouble
出版日期
1999年05月15日（中国期刊网平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
