简介:摘要:GaN属于第三代半导体,具有介电常数小、禁带宽度大、高电子饱和速度等特点,有着更好的高频、高温特性。通常用Johnson品质因数JFM和Baliga品质因数BFOM来表征半导体材料的高频大功率应用潜力。
简介:摘要:GaN属于第三代半导体,具有介电常数小、禁带宽度大、高电子饱和速度等特点,有着更好的高频、高温特性。通常用Johnson品质因数JFM和Baliga品质因数BFOM来表征半导体材料的高频大功率应用潜力。
简介:摘 要:在高速公路建设中,部分隧道洞口位于浅埋、偏压等不良地质中,在施工中往往由于地质、施工方法等原因造成洞口段发生地表及洞身开裂等,如果对这些裂缝不及时处理,则会进一步加大,从而会发生隧道洞口段坍塌等安全质量事故,造成人员伤亡及财产损失等重大损失,同时也会对企业的声誉造成影响。综合安岚高速公路跷溪河隧道右线出口洞口段滑坡的形成特点,介绍此类隧道洞口治理关键技术,采用偏压挡墙和抗滑桩边仰坡加固措施,处理隧道洞口偏压、滑塌,可为类似隧道施工提供一定的借鉴。
简介:摘要由于我国地形、地质条件复杂多变,在高速公路施工上常常需要开山建隧道项目,另外对特殊地质情况限制,对综合技术与经济方面的比较后,路线不宜改变时,浅埋偏压隧道围岩与边坡相互影响,任何一方的失稳破坏均会影响另一方的稳定性,因此需将二者作为一个系统进行研究,学术界与工程界专家普遍认为,利用一种理论,彻底解决各种不同地质条件与不是使用目的的隧道工程难题是不现实的,必要综合利用多种理论研究手段,方可才最终得到最佳成效,本文以某山岭隧道为例,隧道洞身大多处于偏压状态,分别对围岩及边坡进行加固处理,并经监测及数值仿真,表明了该体系加固技术是有效,可为类似工程提供一定的实践经验。
简介:摘要科技和经济的快速发展,推动了隧道工程的前进,隧道工程主要是利用开采地下空间建造的工程,主体结构和附带设施是其中的主要部分。隧道工程的施工环境恶劣复杂,尤其是建设在起伏落差较大的山体内,山体的地形结构复杂多变,没有规律可寻。面对此种情况,为了保证工程的顺利进行以及隧道的质量安全,需要针对浅埋偏压区域制定特殊的施工技术方法。考虑一定的经济合理性和施工的可行性,部分隧道采用中隔墙连供的形式设计。施工前,必须对施工方案的合理性以及可靠性进行仔细的检查,如果施工方案存在问题,那么在结构不稳定的地带开始采挖进洞,很有可能造成施工过程中的山体滑坡、坍塌等问题,对施工的安全、质量、进度造成不利影响。所以,针对浅埋偏压隧道制定合理、可操作性的方案是十分必要的。