简介：通过对某款功放电路的静态电流随电源电压增加而快速增大的实例,分析了晶体管厄利电压对静态电流变化的影响。通过对同款电路在不同工艺平台中测试结果的对比,分析了静态电流随电源电压变化过快的现象跟晶体管参数厄利电压的相关性,并分析了浅结工艺用于制造功放电路的缺点。分析结果表明通过优化或改变工艺条件（即增加基区结深）,使晶体管厄利电压增大,可以解决该款功放电路静态电流随电源电压增大增速过快的问题。

简介：英特尔（Intel）宣布将在2017年底之前启动全新22纳米鳍式场效晶体管（FinFET）制程22FFL，相关开发套件（PDK）在接下来几个月也将陆续到位，市场上认为22FFL的推出，显然是针对GlobalFoundries等业者以绝缘上覆硅（FD-SOI）为移动装置及物联网（10T）应用所生产之同类芯片而来。据EETimesAsia报导，英特尔称自家22FFL是市场上首款为低功耗loT应用及移动装置产品而开发出来的FinFET技术，能打造出高效能及低功耗的晶体管，

简介：中国科学技术大学郭国平教授研究组与日本国立材料研究所等机构学者合作，于国际上首次在半导体柔性二维材料体系中实现了全电学调控的量子点器件，这种新型半导体量子晶体管为制备柔性量子芯片提供了新途径。国际权威学术期刊《科学》子刊《科学·进展》日前发表了该成果。

简介：摘要随着我国科学技术不断发展，晶体三极管的应用范围愈加广泛。晶体三极管作为电子电路中的元器件之一，能够通过外界环境的改变来进行状态的变化，从而实现复杂的工艺操作，承担多种类型的功能。因此，本文结合晶体三极管在多种工作状态下的应用以及不同功能的实现进行分析，希望能给晶体三极管的应用提供一些帮助。

简介：

简介：目的探讨CT对首次PICC管置管失败患者再次置管的引导价值。方法选择本院2013年3月至2016年10月需要行经外周静脉置入中心静脉导管术（PICC）管穿刺、但首次X线片显示PICC管不在位的患者共63例，至PACS工作站调取患者2周内胸部CT，按有无胸部℃T分为观察组35例和对照组28例，对观察组的胸部CT进行阅片后调整导管位置，对照组无胸部CT资料亦重新调整导管位置：对两组重新置管的结果行X线片进行评估，比较其成功率。结果观察组35例重新置管后34例置管成功；对照组28例5例重新置管成功；观察组及对照组重新置管成功率分别为97％和18％,χ2检验具有统计学意义。分析观察组失败原因有三类：第一，操作不当5例；第二，PICC管置管通路结构变异13例；第三，置管通路出现肿瘤压迫造成置管失败8例。结论胸部cT检查在分析PICC管置管失败原因同时，对再次置管具有指导意义，值得临床进一步推广。

简介：意法半导体推出了采用先进的PowerFLATTM5×6双面散热（DSC）封装的MOSFET晶体管，新产品可提高汽车系统电控单元（ECU）的功率密度，已被为全球所有的汽车厂商提供先进技术的汽车零配件大厂电装株式会社选用。

简介：摘要由于各种电气、电子产品的种类繁多，电路的结各不一样，其它各种电路的故障率未作统计。基于这种高比例的原因，笔者从半导体的内部结构、工作过程、及结温产生的机理等方面进行了分析。

简介：用有限时域差分方法（FDTD）对比研究了下列二维光子晶体的带隙：第1组,半径r=0.2μm圆柱,折射率n=4,晶格常数a=0.4μm;第2组,半径为r=0.2μm圆柱,折射率n=4,晶格常数a=0.6μm;第3组,内半径r1=0.1μm,外半径r2=0.2μm,折射率n=4,晶格常数a=0.4μm;第4组,内半径r1=0.1μm,外半径r2=0.2μm,折射率n=4,晶格常数a=0.6μm,并且对每一组光子晶体进行挖孔操作,然后比较不同填充率对光子晶体材料的带隙的影响,以及同种材料和结构、挖孔对带隙的影响。对于紧密排列的二维光子晶体,挖孔会使带隙向长波方向移动;对于填充率小的光子晶体,或者环形柱二维光子晶体,中间挖孔不影响带隙的范围。

简介：摘要目的探讨有晶体眼后房型人工晶体植入术矫治高度近视的临床效果。方法观察对象选取我院在2015年6月~2017年5月期间接受治疗的48例高度近视眼患者，均采用有晶体眼后房型人工晶体植入术，患者的裸眼视力、最佳矫正视力、眼压、屈光度均在患者术之后1月、3月、6月、12月、24月时再次检测，观察临床效果。结果跟术前相比，术后24个月内的最佳矫正视力与屈光度状态明显较高，具有明显的统计学差异（P<0.05），但术后的各时间段屈光度与眼压无明显差异（P>0.05）。结论有晶体眼后房型人工晶体植入术矫治高度近视取得良好的效果，有效减少手术时间，并且无严重的并发症发生，具有较高的安全性，临床上值得推广使用。

简介：摘要目的探讨一次性根管与二次根管在慢性牙髓炎患者中的治疗效果及成功率。方法回顾性的分析2013年6月至2017年6月本院治疗的慢性牙髓炎患者60例，设分对照组与观察组，其中对照组29例，观察组31例，对照组行二次根管治疗法，观察组行一次性根管治疗法，比较两组术后疼痛持续时间和用药时间及近期临床疗效、远期疗效成功率。结果观察组的术后疼痛持续时间与用药时间和对照组比较差异无意义（P＞0.05）；观察组近期临床疗效总有效率96.77%较优于对照组的89.66%，比较差异具有统计学意义（P＜0.05）；观察组远期疗效成功率90.32%高于对照组79.31%，比较差异具有统计学意义（P＜0.05）结论一次性根管治疗慢性牙髓炎治疗效果稳定，成功率高，复诊次数少，临床可推广应用。

简介：闪烁体是探测系统中的核心功能材料,对系统能力的提高起着至关重要的作用,然而在应用中由于全内反射作用,导致大量闪烁光子被限制在晶体内部,无法出射,阻碍了探测效率的进一步提升.光子晶体是一种典型的微纳结构材料,可以实现对闪烁发光的调控,提高闪烁体的光输出效率,控制发光的方向性.介绍了近年来国内外有关光子晶体闪烁体的研究进展,主要包括光子晶体调控闪烁发光的基本原理、光子晶体闪烁体的制备技术、光子晶体闪烁体提高探测系统能量分辨率和时间分辨率的方法.

简介：摘要晶硅太阳能电池的表面钝化一直是设计和优化的重中之重。从早期的仅有背电场钝化，到正面氮化硅钝化，再到背面引入诸如氧化硅、氧化铝、氮化硅等介质层的钝化局部开孔接触的PERC/PERL设计。

简介：研究了一维光子晶体的重合单元数对其透射系数与波长的关系的影响，发现当重合单元数较少时，重合数量对单元内两介质的折射率之比较小且厚度较小的一维光子晶体的透射特性影响较大。这对于全面了解一维光子晶体的特性及一维光子晶体的应用有一定的意义。

简介：摘要目的探究通过有晶体眼后房型人工晶体植入术（ICL）后发生中央拱高时前房结构的影响。方法对2014年11月-2016年11月内在我院进行诊断与治疗的100名高度近视患者进行有晶体眼后房型人工晶体植入术（ICL）后的临床资料进行回顾性分析，手术治疗前记录前房角色素分级并通过房角镜检查房角，并测量前房容积以及前房角的宽度，分别以ACV和ACA表示。手术治疗完成后1个月、3个月、6个月继续测量ACV、ACA以及中央拱高，同时对前房角色素分级进行记录，通过相关性分析分析ACV、ACA以及中央拱高的关系。结果术后1个月、3个月、6个月拱高为（512.23±115.43）μm、（506.86±112.21）μm、（502.21±105.12）μm；ACA减少量为（13.86±2.21）°、（13.35±2.06）°、（13.04±2.11）；ACV为（94.21±13.43）mm3、（94.03±13.04）mm3、（93.95±12.32）mm3。无房角色素分级为Ⅱ级以上患者，中央拱高程度越高ACV、ACA减少量越大，呈正相关性。结论有晶体眼后房型人工晶体植入术（ICL）后表现出前房容积降低，中央拱高对前房结构关系密切，与ACV、ACA减少量表现出正相关关系。

简介：摘要目的研究分析伴虹膜粘连的无晶体眼二期人工晶体植入的手术技巧及疗效。方法此次研究的对象是选择35例（均为单眼）伴虹膜粘连的无晶体眼行二期后房型人工晶体植入术患者，将其临床资料进行回顾性分析。结果术后随访3～12个月，矫正视力0.1～1.0。影响视力的主要因素为原发疾病所致眼底病变。术中、术后并发症主要有术中虹膜表面、后面出血，术后前房、瞳孔区渗出，角膜水肿，前房、玻璃体少量积血，一过性眼压升高。经3d～2周治疗均恢复。结论充分利用黏弹剂轻柔、细致地处理虹膜前后粘连，准确植入高质量的人工晶体，熟练的显微操作及人工晶体缝合技术，使伴虹膜粘连的无晶体眼二期人工晶体植入均能获得满意的疗效。

简介：摘要本课题设计的光功率计主要用于对He-Ne激光的检测，设计出简单实用的光功率计，从而掌握光电接收，信号调理，模数转换，数字显示等典型的光电检测环节的设计。

简介：物质结构决定物质性质，物质结构能帮助学生认识化学学科的本质，因此，物质结构的知识处于高中化学课程的统领地位。《物质结构与性质》的具体内容安排以微粒水平为主线索，讨论了原子内部的结构特点、微粒间相互作用，在此基础上，专门讨论微粒的种类、微粒问相互作用力的种类以及微粒的聚集程度。

简介：摘要目的探讨多焦点人工晶体在眼科临床上的应用效果。方法选择我院收治的老年性白内障患者62例（98眼），分为两组。观察组61眼，植入多焦点人工晶体；对照组37眼，植入单焦点人工晶体。所有病例行白内障超声乳化摘除联合人工晶体植入术，术后定期随访远、近视力，最佳远、近矫正视力、调节力等指标。结果两组患者之间的远视力和矫正远视力比较，差异无统计学意义（P＞0.05）。但观察组患者的裸眼近视力、矫正近视力及调节力等明显优于对照组。结论多焦点人工晶体可为患者提供良好的远、近视力及调节力，功能优于单焦点人工晶体。

简介：摘要机电工程中电子设备在工作过程中，随着温度达到或超过规定的温度值时，就会引起或增大电子设备的失效率，也就是过热失效。过热失效的原因主要来自电子设备中功率器件的过热。因此，做好电子设备中功率器件的散热设计是提高电子设备质量与可靠性的关键环节。因此本文主要就机电工程中功率器件的散热进行分析研究，以供参考。